Sensofar共聚焦白光干涉儀|對用于后端封裝環(huán)節

關(guān)于在半導體領(lǐng)域的應用，我們通常集中在制造過(guò)程的后端封裝環(huán)節：Sensofar的產(chǎn)品可以用來(lái)表征關(guān)鍵尺寸，表征材料的粗糙度，以及進(jìn)行缺陷檢測等。

碳化硅基晶圓

由于其優(yōu)異的熱穩定性與特殊的電子傳輸特性，以碳化硅基晶圓為基礎的芯片在很多新興電子器件比如說(shuō)5G通訊等領(lǐng)域得到了廣泛應用。在制備碳化硅基集成電路時(shí)，通常采用的是化學(xué)氣相沉積技術(shù)。對其表面形貌的測量與表征對于了解其晶體生長(cháng)過(guò)程是否均勻很有必要。SensoVIEW可以通過(guò)ISO標準規定的各空間，高度，以及混合參數來(lái)表征材料的形貌。

蝕刻電路

在蝕刻工藝之后，通常需要評估所得特征的高度。SensoPRO 軟件中的 Step Height 插件通過(guò)檢測形貌中的兩個(gè)不同高度的平面來(lái)計算該臺階高度。無(wú)論分析的圖案如何，都可以立即識別出該臺階特征。 為了確保測量的最佳精度，該處使用了 干涉測量法。

3D 十字切口

衡量芯片分割的質(zhì)量通常有兩個(gè)主要參數來(lái)表征：高度，以確保底部沒(méi)有被損壞；寬度，這是衡量切割質(zhì)量的標準。 Cross kerf 插件 不僅可以檢測十字并提取所需的參數，還可以調平表面以確保晶圓中的現有角度不會(huì )影響提取的數據。對于此應用，這些分割特征的高縱橫比使得測量非常具有挑戰性，只有 Ai Focus Variation 才能合適的解決此應用中存在的問(wèn)題。

鈍化層孔

鈍化層上的孔決定了芯片與引線(xiàn)鍵合的通路。
孔插件 可以測量直徑從50微米到2毫米的孔，在此應用中非常實(shí)用。

孔內薄膜厚度

S neox 擴展了 反射光譜儀的應用，因為它可以使用低至3微米的光斑測量直徑非常小的孔上的薄膜厚度！

通過(guò)表面測量管控晶片翹曲

該晶圓經(jīng)過(guò)了不同的工序，其表面有不同的特征點(diǎn)。
紋理化工藝處理使得這些特征點(diǎn)表面非常粗糙，因此可以用 S wide來(lái)測量。
在高溫環(huán)境實(shí)施的外延生長(cháng)薄膜工藝使得晶圓有可能產(chǎn)生變形。 為了評估這一點(diǎn)，我們用SensoVIEW測量了特征結構之間的距離，
看它們是否符合預期的長(cháng)度，由此來(lái)判斷晶圓是否有形變。