有機光電器件的激光成型

利用 S neox 的共聚焦功能和 150 倍物鏡，可以監視寬度為幾微米、深度約為 100 nm 的激光筆跡線(xiàn)

卡爾斯魯厄理工學(xué)院 (KIT) 的有機光伏小組研究有機太陽(yáng)能電池和半導體器件的制造、優(yōu)化和仿真。我們的研究重點(diǎn)是評估新材料、沉積技術(shù)和器件制造，包括從單層沉積和結構化到器件表征等所有步驟。

這項工作的目的是制造適用于照明設備的大型有機發(fā)光二極管 (OLED)。這要求 OLED 間進(jìn)行隱形串聯(lián)，以減少器件電流，從而減輕歐姆損耗。飛秒激光用于選擇性地構造層。

OLED 中的半透明電極的高電阻導致嚴重的歐姆損耗。歐姆損耗導致器件發(fā)出不均勻的光?？梢酝ㄟ^(guò)串聯(lián)較小的 OLED 解決此問(wèn)題。器件的較小面積限制了電流，因此減少了器件上的總功率損耗，同時(shí)保持了相同的亮度。

若要單片串聯(lián)器件，需要執行三個(gè)模式化步驟（以下稱(chēng)為 P1、P2 和 P3，如圖 1 所示）。 P1：電隔離底部電極； P2：連接頂部和底部電極；
以及 P3：分離頂部電極。 P1-P3 之間的區域不發(fā)光，因此應減小至**限度。 激光燒蝕是構造 P1、P2 和 P3 并減少無(wú)源區域的一種行之有效的方法。

                               Figure 3. 3D contour of a laser written-line (λ=550 nm, F=110 mJ/cm2 and 85 % pulse overlap)

燒蝕深度在 60 nm 時(shí)最佳化。ITO 的損傷可忽略不計，不會(huì )影響器件性能。圖 4 顯示了優(yōu)化激光筆跡線(xiàn)的輪廓線(xiàn)。輪廓顯示燒蝕深度約為 50 nm，線(xiàn)寬小于 5μm。

<em>圖 4</em>.激光筆跡線(xiàn)輪廓（λ=550 nm，F=110 mJ/cm2，85% 脈沖重疊）

使用 S neox共 聚焦功能和 150X 物鏡，可以監視寬度為幾微米，深度約為 100 nm 的激光筆跡線(xiàn)。該儀器可通過(guò)測量薄膜層來(lái)檢測非選擇性燒蝕。