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產(chǎn)品中心光鏡及電鏡制樣設備PicoFemto透射電鏡原位MEMS低溫電學(xué)測量
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PicoFemto透射電鏡原位MEMS低溫電學(xué)測量系統，是在標配MEMS芯片樣品桿上集成低溫控制模塊，實(shí)現低溫電學(xué)測量或全溫區測量功能。
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PicoFemto透射電鏡原位MEMS液體電化學(xué)測量系統，采用全新的O圈輔助密封設計，更易封裝液體。實(shí)驗中，樣品被密封在很薄氮化硅薄膜覆蓋的液體池內，池內可以承載一個(gè)大氣壓。芯片電極聯(lián)通外接電路，從而在電鏡中搭建一個(gè)液體-電化學(xué)測試環(huán)境。
性能指標：
● 兼容TEM真空度；
● 液體池間隔層厚度最小100 nm；
● 液體池內可載入氣體或液體，池內可承載1個(gè)大氣壓，池外滿(mǎn)足電鏡真空要求；
● 電壓輸出最大±200 V，最小分辨率±100 nV；
● 電流測量最大±1.5 A，最小分辨率±100 fA；
● 恒壓或者恒流模式。
● 自動(dòng)電流-電壓（I-V）測量、電流-時(shí)間（I-t）測量，自動(dòng)保存。
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