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    PicoFemto透射電鏡原位MEMS氣氛加熱測量

    產(chǎn)品簡(jiǎn)介

    PicoFemto透射電鏡原位MEMS氣氛加熱測量系統
    PicoFemto透射電鏡原位M。EMS氣氛加熱測量系統,在透射電子顯微鏡中制造氣氛及高溫環(huán)境,實(shí)現1 Bar & 800 ℃的端觀(guān)測條件

    產(chǎn)品型號:
    更新時(shí)間:2024-05-31
    廠(chǎng)商性質(zhì):代理商
    訪(fǎng)問(wèn)量:118

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    PicoFemto透射電鏡原位MEMS氣氛加熱測量系統,在透射電子顯微鏡中制造氣氛及高溫環(huán)境,實(shí)現1 Bar & 800 ℃的端觀(guān)測條件。

    PicoFemto透射電鏡原位MEMS氣氛加熱測量系統,在透射電子顯微鏡中制造氣氛及高溫環(huán)境,實(shí)現1 Bar & 800 ℃的端觀(guān)測條件。該系統使研究者可以在原子尺度上實(shí)時(shí)觀(guān)測催化反應、氧化還原反應、低維材料生長(cháng)/合成以及各類(lèi)腐蝕反應,將您的透射電鏡從一臺靜態(tài)成像工具升級為一套功能強大的納米實(shí)驗室。
            系統組成:

    ① 原位氣氛環(huán)境樣品桿:由樣品桿主體、氣流通道、四電極加熱模塊和MEMS反應微腔組成。樣品被安置于上下兩片MEMS芯片以及配套的O圈組成的密封微腔內。
    ② 真空檢漏系統:由進(jìn)口分子泵組、高真空腔體和高倍顯微鏡組成。用于實(shí)驗前驗證MEMS反應微腔密封情況,確保在TEM中抽真空后不會(huì )有氣體泄漏。
    ③ MEMS反應微腔:由上下兩片MEMS芯片組成,用于搭載實(shí)驗樣品。樣品觀(guān)測區域覆蓋有高質(zhì)量、高透過(guò)率的氮化硅薄膜窗口,窗口上覆蓋有四電極加熱區域,樣品搭載在加熱電極上。該MEMS反應微腔與外接氣路通道以及加熱模塊高度耦合,從而在TEM中實(shí)現氣氛環(huán)境與高溫環(huán)境準確可控的原位觀(guān)測。
    ④ 氣氛環(huán)境控制箱:由三通道混氣模塊、渦輪真空泵、氣壓控制模塊、氣流控制模塊及配套附件組成。用于在實(shí)驗中準確、穩定地控制MEMS反應微腔中的氣氛環(huán)境,控制微反應腔中的氣壓及氣體流速。
    ⑤ 高性能PC及配套控制軟件:該系統中的加熱及氣氛環(huán)境均為軟件控制,多種工作模式可選,功能強大,方便易用。
    ⑥ 溫控儀:用于控制MEMS反應微腔中的溫度,四個(gè)電極通道,帶溫度反饋。
    ⑦ 樣品桿載具、裝樣附件及其他工具。

    性能指標
     

    透射電鏡指標:

    ● 兼容型號電鏡及極靴;

    ● 通氣后透射電子顯微鏡分辨率優(yōu)于0.1 nm。

     

    加熱指標:

    ● 溫度范圍:室溫至800 ℃;

    ● 溫度準確度:優(yōu)于5% ;

    ● 溫度穩定性:優(yōu)于±0.1 ℃;

    ● 四電極加熱,帶溫度反饋;

    ● 軟件控制。

     

    氣體流動(dòng)指標:

    ● 三通道混氣

    ● 氣壓范圍:0 - 1 Bar;

    ● 氣壓準確度:30 mBar;

    ● 氣體流速: 0.01 - 0.4 ml/min;

    ● 可通氣體:H2, N2, O2, He, Ar, CO, CO2, CxHy等;

    ● 軟件控制。

     

    MEMS反應微腔指標:

    ● 高質(zhì)量氮化硅膜厚度25 nm;

    ● 樣品漂移優(yōu)于0.7 nm/min。

     

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