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    蔡司雙束電鏡Crossbeam系列(FIB-SEM)

    產(chǎn)品簡(jiǎn)介

    蔡司雙束電鏡Crossbeam系列(FIB-SEM)結合了高分辨率場(chǎng)發(fā)射掃描電鏡(FE-SEM)的出色成像和分析性能,以及新一代聚焦離子束(FIB)的優(yōu)異加工能力。

    產(chǎn)品型號:
    更新時(shí)間:2024-05-08
    廠(chǎng)商性質(zhì):代理商
    訪(fǎng)問(wèn)量:238

    產(chǎn)品分類(lèi)

    PRODUCT CLASSIFICATION

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    蔡司雙束電鏡Crossbeam系列(FIB-SEM):專(zhuān)為高通量3D分析和樣品制備量身打造的FIB-SEM

     

    蔡司雙束電鏡Crossbeam系列(FIB-SEM)結合了高分辨率場(chǎng)發(fā)射掃描電鏡(FE-SEM)的出色成像和分析性能,以及新一代聚焦離子束(FIB)的優(yōu)異加工能力。無(wú)論是用于多用戶(hù)實(shí)驗平臺,還是科研或工業(yè)實(shí)驗室, 利用Crossbeam系列模塊化的平臺設計理念,您可基于自身需求隨時(shí)升級儀器系統(例如使用LaserFIB進(jìn)行大規模材料加工)。在加工、成像或是實(shí)現三維重構分析時(shí),Crossbeam系列將大大提升您的聚焦離子束(FIB)應用效率。

    • 使您的掃描電鏡(SEM)具備強大的洞察力

    • 提升您的聚集離子束(FIB)樣品制備效率

    • 在您的雙束電鏡(FIB-SEM)分析中體驗出色的三維空間分辨率

    (一)、產(chǎn)品優(yōu)勢

    1、使您的掃描電鏡具備強大的洞察力

    • 通過(guò)樣品臺減速技術(shù)(Tandem decel,新型蔡司Gemini電子光學(xué)系統的一項功能)實(shí)現低電壓電子束分辨率提升高達30%。

    • 使用Gemini電子光學(xué)系統,您可以從高分辨率掃描電鏡(SEM)圖像中獲取真實(shí)的樣品信息。

    • 在進(jìn)行高度靈敏表面二維成像或三維斷層成像時(shí),您可以信賴(lài)蔡司雙束電鏡Crossbeam系列的性能。

    • 即使在使用非常低的加速電壓時(shí)也可獲得高分辨率、高對比度和高信噪比的清晰圖像。

    • 借助一系列的探測器實(shí)現樣品的表征;使用Inlens EsB探測器獲得更純的材料成分襯度。

    • 使用低電壓表征不導電樣品,消除荷電效應的影響。

    配置Gemini光學(xué)系統的蔡司雙束電鏡Crossbeam系列

    2、提升您的聚焦離子束(FIB)樣品制備效率

    • 得益于智能聚焦離子束(FIB)的掃描策略,移除材料相比以往實(shí)驗快40%以上。

    • 鎵離子FIB鏡筒Ion-sculptor采用了全新的加工方式:盡可能減少樣品損傷,提升樣品質(zhì)量,從而加快實(shí)驗進(jìn)程。

    • 使用高達100 nA的離子束束流,高效而精確地處理樣品,并保持高分辨率。

    • 制備TEM樣品時(shí),請使用鎵離子FIB鏡筒Ion-sculptor的低電壓功能:獲得超薄樣品的同時(shí),盡可能降低非晶化損傷。

    3、在您的雙束電鏡分析中體驗出色的三維空間分辨率

    • 體驗整合的三維能譜和EBSD分析所帶來(lái)的優(yōu)勢。

    • 在切割、成像或執行三維分析時(shí),Crossbeam系列將提升您的FIB應用效率。

    • 使用快速精準三維成像及分析軟硬件包——Altas 5來(lái)擴展您的Crossbeam性能。

    • 使用Atlas 5中集成的三維分析模塊可在三維斷層成像過(guò)程中進(jìn)行EDS和EBSD分析。

    • 雙束電鏡的斷層成像可獲得優(yōu)異的三維空間分辨率和各向同性的三維體素尺寸;使用Inlens EsB探測器探測小于3 nm的深度,可獲得極表面的材料成分襯度圖像。

    • 在加工過(guò)程中收集連續切片圖像以節省時(shí)間;精確的體素尺寸和自動(dòng)流程保證圖像質(zhì)量。

    (二)、蔡司雙束電鏡Crossbeam系列

     

    Crossbeam 350

    利用低真空操作,使用可變壓力模式對含有氣體或帶電的樣品進(jìn)行原位實(shí)驗。通過(guò)Gemini電子光學(xué)系統和鎵離子FIB鏡筒Ion-sculptor,實(shí)現高質(zhì)量成像。

    Crossbeam 550

    為您進(jìn)行要求苛刻的材料表征并選擇適合您的樣品尺寸——標準尺寸或大尺寸。Gemini 2電子光學(xué)系統即使在低電壓和高束流條件下亦可提供高分辨率。如需在高束流條件下獲得高分辨率圖像以及進(jìn)行快速分析,這無(wú)疑是您的理想之選。

    Crossbeam Laser

    用于切割大量材料和制備大樣品的儀器——交換艙內的飛秒激光助力原位研究,避免了艙室污染,并可配置于Crossbeam 350550,快速找到深埋結構的入口以及制備要求苛刻的結構(如原子探針樣品)。

    Correlative Cryo Workflow(冷凍關(guān)聯(lián)工作流程)

    這種用于在冷凍條件下進(jìn)行TEM薄片制備和體積成像的解決方案能夠實(shí)現接近原生狀態(tài)的成像。關(guān)聯(lián)寬場(chǎng)顯微鏡、激光共聚焦顯微鏡和雙束電鏡, 同時(shí)保持多功能雙束電鏡的靈活性。

    (三)、蔡司雙束電鏡Crossbeam系列背后的技術(shù)

    1、掃描電鏡電子光學(xué)器件

    1) 兩種鏡筒可供選擇

    和所有的蔡司場(chǎng)發(fā)射掃描電鏡一樣,蔡司雙束電鏡Crossbeam系列的場(chǎng)發(fā)射掃描電鏡鏡筒基于Gemini電子光學(xué)系統。目前兩款鏡筒:配置Crossbeam 350的Gemini I VP鏡筒和配置Crossbeam 550的Gemini II鏡筒可供您選擇。

    場(chǎng)發(fā)射掃描電鏡專(zhuān)為高分辨率成像而設計,其性能取決于它的電子光學(xué)鏡筒。Gemini技術(shù)支持所有的蔡司場(chǎng)發(fā)射掃描電鏡和雙束電鏡:特別為各種樣品,尤其是低電壓下提供高分辨和高效且操作簡(jiǎn)單的探測。

    2) Gemini電子光學(xué)系統主要有三個(gè)特征

    • Gemini物鏡是靜電透鏡和電磁透鏡復合的電子光學(xué)結構,可大大提升鏡筒的使用效果,面對富有挑戰性的磁性樣品同樣有出色的成像效果。

    • Gemini鏡筒配置的電子束加減速技術(shù),可保證電子束斑尺寸和高信噪比。

    • Gemini鏡筒內設置的探測器,可確保信號的高效收集,可同時(shí)收集二次電子(SE)和背散射電子(BSE)信號。

    3) 從您的雙束電鏡應用獲益

    • 掃描電鏡電子束對準可長(cháng)期保持穩定,改變探針電流和加速電壓對系統幾乎沒(méi)有影響。

    • 無(wú)磁場(chǎng)泄露的光學(xué)系統可實(shí)現大視野無(wú)畸變高分辨成像。

    • 樣品傾斜轉動(dòng)時(shí)不影響電子光學(xué)系統的表現。

    4) 帶Gemini I VP的蔡司Crossbeam 350

    • 更廣的樣品和環(huán)境適用性

    • 放氣或者荷電樣品原位實(shí)驗的可行性

    • 利用Inlens EsB探測器實(shí)現材料成分襯度

    5) 帶Gemini II的蔡司Crossbeam 550

    • 基于雙聚光鏡系統,在低電壓大束流下依然可以獲得高分辨圖像

    • 通過(guò)高分辨成像及快速分析技術(shù)可在短時(shí)間內獲得更多信息

    • 使用Inlens SE和EsB探測器實(shí)現形貌及成分襯度同時(shí)成像

    2、Gemini新型光學(xué)系統

    得益于高度靈敏的表面成像分析

    在低著(zhù)陸能量下獲取高分辨圖像已經(jīng)成為SEM應用的標準。本質(zhì)上因為:

    • 光束敏感樣品

    • 非導電材料

    • 獲得真實(shí)樣品表面信息,而不受樣品更深層背景信號的干擾

    Gemini電子光學(xué)結構優(yōu)化低電壓和超低電壓的分辨率并且增強了襯度。
    其技術(shù)特點(diǎn)為使用高分辨率電子槍模式和可選的樣品臺減速技術(shù)(Tandem decel)。

    • 高分辨率電子槍模式通過(guò)將電子束最初能量色散降低30%,令電子束色差盡可能降低。

     

    樣品臺減速技術(shù)現配置給蔡司Crossbeam350/550,可以在兩種不同的模式下使用:

    • 樣品臺減速技術(shù)(Tandem decel)采用兩步式電子束減速模式,它結合了電子束推進(jìn)器技術(shù)和對樣品施加的高負偏壓,使入射束的電子減速,進(jìn)而有效降低著(zhù)陸電壓。

    • 施加50V到100V之間的可變負偏壓,一種應用模式可增強您圖像的對比度。

    • 施加1kV到5kV之間的負偏壓,提高您圖像的低加速電壓分辨率。

    樣品臺減速技術(shù)可選樣品偏壓高達5 kV,進(jìn)一步提高了低電壓下的出色成像能力

    3、雙束電鏡技術(shù)

    發(fā)現一種新的聚焦離子束(FIB)處理方式

    鎵離子FIB鏡筒Ion-sculptor 可在不影響加工精度的情況下加快您的FIB工作進(jìn)程,并讓您受益于其對任何樣品的低電壓性能。

    蔡司Crossbeam產(chǎn)品系列配有新一代的鎵離子FIB鏡筒——Ion-sculptor,具有可實(shí)現高通量的高電流以及用于高樣品質(zhì)量的出色低電壓性能。

    • 充分利用鎵離子FIB鏡筒Ion-sculptor在低電壓下的出色性能來(lái)提升樣品質(zhì)量。

    • 盡可能減少您樣品的非晶化并使您在減薄后獲得出色結果。

    • 產(chǎn)品具備全面穩定性,確保您獲得精準且可重復的結果。

    • 通過(guò)快速探頭電流交換加速您的FIB應用。

    • 借助高達100 nA的電子束流可進(jìn)行高通量實(shí)驗。

    • 實(shí)現小于3 nm的出色的FIB分辨率。

    • Crossbeam產(chǎn)品系列配有用于長(cháng)期實(shí)驗的自動(dòng)FIB發(fā)射恢復功能。

    蔡司雙束電鏡Crossbeam 550配有Gemini II鏡筒,包括雙聚光鏡和兩個(gè)Inlens探測器以及一個(gè)以54°傾斜角度裝置的FIB鏡筒


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